可单独选通的平面结构的微电磁单元阵列芯片

可单独选通的平面结构的微电磁单元阵列芯片

专利名称：可单独选通的平面结构的微电磁单元阵列芯片

专利授权号：ZL01136350.9

完成人：吴镭、王小波、程京、杨卫平、周玉祥、刘理天、许俊泉

完成单位：清华大学等

授权时间：2009

授权国别：中国

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